當(dāng)前位置：
摻雜是將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀，可用來改變晶片電學(xué)性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)器件和電路縱向結(jié)構(gòu)。包含擴(kuò)散、離子注入等方式。高溫?cái)U(kuò)散是利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅晶體結(jié)構(gòu)。離子注入是通過高溫離子轟擊，使雜質(zhì)注入硅片，雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。
| 產(chǎn)品介紹 | ·金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積：GaN，GaAs |
| ·化學(xué)氣相沉積：SIC | |
| ·離子注入：B，P，F(xiàn)，Al，N，Ar，H，He，Si |