當(dāng)前位置：
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，它是通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。瀚宸掌握離子束刻蝕（IBE）、深硅刻蝕（DRIE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、聚焦離子束刻蝕（FIB）、電感耦合（ICP）等離子刻蝕等多種刻蝕方式。
| 刻蝕化藥 | ·堿性 1μm，套刻精度：±0.5μm：KOH，TMAH |
| ·酸性 ±0.5μm：HF，BOE，HCI，HNO3等 | |
| 刻蝕材料 | ·硅、氧化硅、氮化硅、金屬、石英等材料 |
| 刻蝕技術(shù) | ·離子束刻蝕（IBE） 用于較難刻蝕的金屬或其他物質(zhì) |
| ·深硅刻蝕（DRIE） 刻蝕均勻性<±5%，選擇比＞50:1 | |
| ·反應(yīng)離子刻蝕（RIE） 刻蝕Si，SiO?，SiNx等 | |
| ·聚焦離子束刻蝕（FIB） 可對(duì)材料和器件進(jìn)行刻蝕、沉積、摻雜等微納加工 | |
| ·電感耦合（ICP）等離子刻蝕 刻蝕GaN，GaAs，InP等材料 |