當(dāng)前位置：
| 晶體結(jié)構(gòu) | 六方晶系 |
| 熔點(diǎn) | 2040° |
| 密度 | 3.98g/cm3 |
| 晶型 | A R M C |
| 晶向 | <11-20>，<1-102>,<10-10><0001> |
| 熱導(dǎo)率 | 0.055（23℃）0.040（77℃） |
| 熱膨脹系數(shù) | 7.5*10-6 |
| 介電常數(shù) | 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis |
| 尺寸 | 10×3,10×5，10×10,15×15，20×15，20 ×20，可按照客戶需求定制特殊尺寸基 片 |
| 拋光 | 單面或雙面拋光 |
| 表面粗糙度 | Ra<5?（5×5μm） |
| 包裝 | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere. |
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